講座名稱：Designs of Substrate-Integrated Dielectric Resonator Antennas

講座人：Prof. LEUNG, Kwok Wa

講座時間：4月24日15:00-16:00

地點：北校區(qū)主樓III區(qū)201報告廳

講座人介紹：

梁國華教授分別于1990年及1993年在香港中文大學(xué)取得電子學(xué)學(xué)士學(xué)位及電子工程哲學(xué)博士學(xué)位。1994年，他加入香港城市大學(xué)電子工程系，現(xiàn)任該系講座教授。曾擔(dān)任該系副主任及工程學(xué)院科研副院長。2006年，他曾任美國賓夕法尼亞州立大學(xué)電子工程系訪問教授。

梁教授曾于2006至2007年間擔(dān)任IEEE AP/MTT香港聯(lián)合分會主席。他曾擔(dān)任多個重要學(xué)術(shù)會議的主席，包括2022年廣州IEEE天線測量與應(yīng)用大會總主席、2008年香港亞太微波會議技術(shù)程序委員會主席，以及2006年香港IEEE區(qū)域會議（TENCON）技術(shù)程序委員會聯(lián)合主席。在學(xué)術(shù)期刊任職方面，梁教授曾擔(dān)任《HKIE Transactions》編輯、《IET Microwaves, Antennas and Propagation》特刊客座編輯，《IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters》及《IEEE Transactions on Antennas and Propagation》（TAP）副主編，其中2009和2010年兩次獲選為TAP杰出副主編。2013至2016年間，梁教授出任TAP主編職務(wù)。

梁教授分別于1993年和1995年在日本與俄羅斯獲得USRI青年科學(xué)家獎。他于2005年、2010年及2011年三度榮獲杰出教師獎，并于2013年獲得香港城市大學(xué)杰出研究獎。2012至2014年間，擔(dān)任IEEE天線與傳播學(xué)會杰出講師。他是2016年度中國教育部高等教育杰出科研成果獎（自然科學(xué)類）一等獎的首席獲獎?wù)摺?021年，他獲得香港中文大學(xué)電子工程系杰出校友獎。其指導(dǎo)的學(xué)生曾獲2015年IEEE AP-S尤金諾特博士前研究獎(IEEE AP-S Eugene F. Knott Memorial Pre-Doctoral Research Grant)和國際/地區(qū)會議最佳論文獎。梁教授現(xiàn)為IEEE Fellow。

講座內(nèi)容：

The dielectric resonator antenna (DRA) has been studied extensively since its first introduction in 1983. It has many favorable features such as its low cost, small size, wide bandwidth, and ease of excitation. Traditionally, the DRA has been made of ceramic or composite materials, being unsuitable for direction integrations with standard printed circuit boards (PCBs). Later, substrate-integrated DRAs (SIDRA) that made use of metallic and air vias have been developed. The dielectric constant of these SIDRA is limited by the PCB material, which generally has a low dielectric constant of say less than 5. This constrain limits the designs of SIDRA. In this presentation, the idea of dielectric vias is introduced to increase the design flexibility. By using a dielectric material with a high dielectric constant, the effective dielectric constant of the SIDRA can be increased effectively, breaking the limitations of conventional SIDRAs. In this presentation, the Barium Strontium Titanate (BST) is used for the dielectric vias. It has a dielectric constant of 20, with an approximate loss tangent of ~0.05. The usefulness of dielectric vias will be illustrated through the designs of wideband, dual-polarized, and circularly polarized SIDRAs. Measurements were done to verify the simulations, and good agreement between the measured and simulated results is found.

主辦單位：電子工程學(xué)院