沙龍名稱：等離子體電磁科學(xué)及應(yīng)用

沙龍時間：5月21日14:30

沙龍地點：南校區(qū)G240報告廳

主辦單位：空間科學(xué)與技術(shù)學(xué)院

報告1：大氣壓等離子體物理及其應(yīng)用

講座人介紹：

徐晗，男，西安電子科技大學(xué)空間科學(xué)與技術(shù)學(xué)院講師。2015年獲西南交通大學(xué)電氣工程及其自動化專業(yè)學(xué)士學(xué)位，2020年獲西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院工學(xué)博士學(xué)位；2018年9月至2019年9月于英國拉夫堡大學(xué)訪學(xué)交流。主要研究方向為等離子體技術(shù)及應(yīng)用，包括等離子體物理、等離子體產(chǎn)生及診斷、等離子體滅菌消殺、等離子體“碳中和”等，發(fā)表SCI論文十余篇。

講座內(nèi)容：

大氣壓等離子體是一種部分電離的氣體，含有帶電離子、高能電子、激發(fā)態(tài)原子、分子和自由基等多種活性成分，同時伴隨著光輻射和電磁輻射等物理效應(yīng)。憑借均勻穩(wěn)定的放電特性及較強的化學(xué)活性，大氣壓等離子體在生物醫(yī)學(xué)、材料處理、化學(xué)氧化等諸多領(lǐng)域展現(xiàn)出良好的應(yīng)用潛力和商業(yè)價值。但現(xiàn)階段，由于大氣壓等離子體技術(shù)的溫度問題、氣味問題、劑量問題及皮膚接觸等問題尚未解決，導(dǎo)致等離子體技術(shù)的民用產(chǎn)業(yè)化存在重要瓶頸。航天等離子體領(lǐng)域的電磁調(diào)控技術(shù)可以有效調(diào)控等離子體強度、形態(tài)及有效活性成分，通過該技術(shù)的JM融合轉(zhuǎn)化，有望實現(xiàn)民用等離子體技術(shù)及產(chǎn)品的突破升級。

報告2：高超聲速飛行器載雷達探測研究

講座人介紹：

宋黎浩，男，2012年畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)機電工程學(xué)院，2015年畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院，2020年獲得西安電子科技大學(xué)空間科學(xué)與技術(shù)專業(yè)博士學(xué)位，2019年至2020年赴南洋理工大學(xué)訪學(xué)一年，2020年12月份入職西安電子科技大學(xué)空間科學(xué)與技術(shù)學(xué)院。研究方向為高超聲速飛行器載雷達探測與成像。

講座內(nèi)容：

高超聲速飛行器載雷達具有廣泛的應(yīng)用前景。相對于傳統(tǒng)飛行平臺，高超聲速飛行器有著高空、高速、高機動、難以攔截等特點，特別適合作為未來的飛行器載雷達平臺。然而高超聲速飛行器載雷達的應(yīng)用會遇到諸多挑戰(zhàn)，高超聲速飛行器飛行速度更高，飛行狀態(tài)更加復(fù)雜，傳統(tǒng)的雷達信號處理方法不能適應(yīng)于如此復(fù)雜的情況；更為嚴(yán)重的是，高超聲速飛行器在飛行過程中產(chǎn)生的等離子鞘套會帶來新的挑戰(zhàn)，降低雷達探測性能。針對該重大問題，從雷達信號在等離子鞘套中的傳輸特性及計算方法入手，開展等離子鞘套下高超聲速飛行器載雷達探測研究，可以為高超聲速飛行器載雷達的應(yīng)用提供技術(shù)支撐與儲備。

報告3：脈沖調(diào)制射頻感性耦合等離子體的基本放電特性

講座人介紹：

薛嬋，2014年畢業(yè)于大連理工大學(xué)物理與光電工程學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)，后直接攻讀大連理工大學(xué)物理學(xué)院等離子體物理專業(yè)博士，并于2019年畢業(yè)。2020年至今，于西安電子科技大學(xué)空間科學(xué)與技術(shù)學(xué)院任職，主要研究方向為針對半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工藝中的等離子體刻蝕技術(shù)，利用數(shù)值模擬和實驗診斷相結(jié)合的研究方法，探究脈沖調(diào)制射頻感性耦合等離子體的基本放電特性。

講座內(nèi)容：

隨著半導(dǎo)體科技的飛速發(fā)展，電路的集成度越來越高，晶圓的刻蝕線寬也越來越窄（小于5 nm）。但是，在傳統(tǒng)的連續(xù)波射頻等離子體刻蝕過程中，出現(xiàn)的諸多問題也愈發(fā)嚴(yán)重，如電荷積累、高能離子轟擊等效應(yīng)會造成刻蝕形貌畸變，損傷晶圓，最終造成芯片刻蝕良率降低。為解決這些難題，人們提出了將射頻源進行脈沖調(diào)制。研究表明，對于刻蝕工藝的常用射頻感性耦合等離子體源，將射頻源進行脈沖調(diào)制后，可獲得高刻蝕選擇性、高刻蝕速率、高各向異性、更好的均勻性、較小的晶圓損傷、較理想的刻蝕形貌的等離子體刻蝕環(huán)境，為未來高深寬比的接觸孔/溝槽刻蝕提供了可能。本次報告針對脈沖調(diào)制射頻感性耦合等離子體，重點介紹等離子體的研究方法及放電特性，并探討目前研究過程中遇到的難題。