人物簡介：博士研究生王洪娟在校期間發(fā)表SCI論文6篇，國際會議口頭報告6次，其中邀請報告一次，16年10月獲得ICSICT國際學術(shù)會議“Excellent student paper award“，獲得博士研究生國家獎學金3次，擁有兩項國家授權(quán)發(fā)明專利。
碩士提前畢業(yè)、多次獲得研究生國家獎學金、多次參加國際學術(shù)會議并獲獎
話不多、穿著樸素、素面朝天，典型的“工科女”。本科專業(yè)電子科學與技術(shù)，對場效應(yīng)晶體管的印象僅限于將其用于電路設(shè)計中。碩士開始師從剛從新加坡國立大學回國的韓根全教授，從此開始跟微電子結(jié)緣，并一發(fā)不可收拾的喜歡上了這個專業(yè)，潛心鉆研下，取得了一系列成果。
碩士期間發(fā)表SCI論文4篇，國際會議口頭報告3次，其中邀請報告1次，獲得授權(quán)發(fā)明專利2項，兩次獲得研究生國家獎學金，碩士提前畢業(yè)并獲得2015年優(yōu)秀碩士畢業(yè)生榮譽稱號。碩士期間，針對IV族材料TEFT和MOSFET器件性能提升進行了深入的研究，其成功制備了鍺作為源極且硅作為溝道和漏極的TFET器件，實現(xiàn)了小于60 mV/decade的陡峭亞閾值擺幅，該成果發(fā)表在Chinese Physics Letter 30 (2013) 088502；研究了基于低溫乙硅烷鈍化的鍺及鍺錫材料的MOSFET器件包括負偏壓溫度不穩(wěn)定等在內(nèi)的性質(zhì)，相關(guān)成果發(fā)表在ECS Solid State Letters, 3 (2014) 11-13 及Chinese Physics Letter 31 (2014) 058503；設(shè)計了異質(zhì)結(jié)增強TFET即基于不同組分的鍺錫材料之間形成異質(zhì)結(jié)設(shè)計器件結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)器件工作電流的大幅度提升，該成果發(fā)表在Superlattice and Microstructures 83 (2015) 401-410；研究了引入應(yīng)變之后的鍺錫材料的能帶變化，設(shè)計了新型的應(yīng)變TFET結(jié)構(gòu)，相關(guān)成果在2015 VLSI Technology, System and Application (VLSI-TSA)會議上做口頭報告；基于鍺錫材料及應(yīng)變工程申請了兩項國家發(fā)明專利且均獲得授權(quán) (雙軸張應(yīng)變GeSn n溝道隧穿場效應(yīng)晶體管ZL 2014 1 0057748.5，帶有源應(yīng)變源的GeSn n溝道隧穿場效應(yīng)晶體管 ZL 2014 1 0057722.0)。
2016年3月博士入學至今，王洪娟繼續(xù)針對TEFT及高性能MOSFET器件進行深入的研究，已經(jīng)發(fā)表SCI論文2篇，國際會議口頭報告3次并獲得International Conference on Solid -State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) 2016國際會議優(yōu)秀學生論文獎 （Excellent Student Paper Award），獲得2016年博士研究生國家獎學金及一等學業(yè)獎學金。其基于鍺錫與硅鍺錫材料設(shè)計了II型異質(zhì)結(jié)P和N型TFET器件，完成了一系列仿真并進行了深入的分析，相關(guān)成果發(fā)表在IEEE Transactions on Electron Devices, vol 63, no 1, 2016及Japanese Journal of Applied Physics, vol 55, no 4, 2016；研究了沿Fin方向施加單軸張應(yīng)變時鰭形TFET器件性能的變化，相關(guān)結(jié)果已經(jīng)投稿到IEEE Transactions on Electron Devices及Japanese Journal of Applied Physics上，且部分已經(jīng)在2016 Solid State Devices and Material (SSDM)國際會議上以口頭報告的形式發(fā)表；還對基于鍺及鍺錫材料的TFET及MOSFET器件進行了實驗測試分析，相關(guān)成果發(fā)表在2016 International Conference on the Physics of Semiconductors(ICPS)及2016 ICSICT，且在ICSICT會議上受到業(yè)內(nèi)廣泛好評并獲得Excellent Student Paper Award。
樂觀積極，嚴謹踏實，在快樂中學習
作為王洪娟的直系師妹，韓根全教授的碩士研究生闞楊若穎，每當提起這個“奇葩”師姐，她總說：“這個師姐總是很樂觀積極，能夠在很愉快的氣氛中解決科研中遇到的問題。雖然生活中挺迷糊的，但是一講到學術(shù)問題，能夠瞬間轉(zhuǎn)換模式，變得嚴謹起來。還很熱心，總能跟師弟師妹們打成一片，幫助解決學術(shù)研究中遇到的一些問題，是個很不錯的師姐?！?br />
努力踏實、敢于拼搏、積極樂觀
在導(dǎo)師韓根全教授的眼中，王洪娟是一個能夠把握機會、敢于拼搏且踏實嚴謹?shù)膶W生。他評價說：“王洪娟在搞好科研的同時，對學習沒有一絲的懈怠，一直努力上進，踏實好學且積極樂觀。學術(shù)上獲得的成果也是有目共睹的，發(fā)表論文多篇，獲獎多項，成績斐然?！?br />
學術(shù)道路上沒有一帆風順，踏實嚴謹才能越走越遠
“在很多人眼中，我是很幸運的，幸運的發(fā)表了多篇論文，幸運的參加過多次國際會議，獲得多個獎項”，她說：“但是他們沒有看到我的努力。初次接觸TFET與MOSFET器件的我是懵的，不懂工作原理，甚至連最基本專業(yè)術(shù)語都沒有掌握。怎么辦？只有從基礎(chǔ)抓起。大量閱讀相關(guān)文獻，了解研究背景，掌握相關(guān)基礎(chǔ)知識。這個過程是漫長的，但是只有耐心下來踏實的完成這個學習的過程，才能有個質(zhì)的提高?！?/p>
“我確實又是幸運的，因為遇到了一個醉心科研，踏實做學術(shù)的導(dǎo)師韓根全教授，他會給學生指明方向，讓學生少走很多彎路。但學術(shù)的道路上充滿了各種困難，不是有一個好導(dǎo)師就萬事大吉了，還需要自己繼續(xù)努力。就拿器件仿真來說，師妹們是很幸福的，因為我在教他們的過程中會把自己遇到過的問題直接告訴他們，進而效率大大提高。但回想自己初次接觸Sentaurus軟件時，可以說兩眼摸黑，根本就不知道該如何開始。問了很多人，回復(fù)我的話很多都是‘我沒有遇到過這些問題，你再研究研究’。我也曾抱怨過這些人為什么不懂得分享，不樂于助人呢，后來我想明白了，別人沒有義務(wù)幫你，所幸后來一步一步的解決了各種問題，終于能夠熟練的掌握計算方法，也出了一些成果。
感謝我的導(dǎo)師，是他讓我走上了科研的道路，感謝那些幫助過我的人，是他們讓我少走彎路，并有了一顆樂于助人的心，也感謝‘那些不能給我?guī)椭娜?，是他們讓我學會獨立的解決問題，認識到科研的道路上沒有一帆風順，唯有踏實嚴謹才能走的更遠?！?/p>
（文/西電新聞中心·盧 毅 程 珺）
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